Aşağıdaki şekilde gate direnci olmadan mosfet sürmek istiyorum. Amaç malzemeden,dizgiden ve yerden tasarruf etmek. Mosfetler sadece on/off olarak çalışacaklar. Bir sakıncası olur mu? (https://i.ibb.co/y5nJCyP/D-REN-S-Z-MOSFET-S-RME.jpg) (https://ibb.co/y5nJCyP)
Sorunuzda malzemeden, dizgiden tasarruf etmek istediğinizi belirtince bu işin içinde direnç olması gerektiğini bildiğinizi düşündüm. En azından bu devreyi tasarlamadan önce direnç olan devreler incelediğinizi düşündüm. Bu yüzden mosfet yerine işlemciyi korumak gerekir diye kısa bir yazı yazmıştım. Kusura bakmayın.
Mosfetler GATE ucundan ilk açılışta akım çekerler, ve her seferinde bu tekrarlanır. Bu akımı da devrede direnç olmadığı için işlemciden çekecektir. İlk bir kaç çalışmada işlemci bozulmasa bile ilerleyen zamanlarda bozulacaktır. Bu yüzden mosfetlerinizi işlemci ile direk olarak sürmeyin, arada mutlaka en azından transistör (daha profesyoneli mosfet driver kullanmaktır) gibi ara bir eleman ile sürünüz ve ihtiyaç olan GATE akımını da mutlaka bir direnç ile sınırlayınız aksi halde bu sefer de ara eleman zamanla bozulabilir. Ayrıca işlemciden direk sürmenin bir zararı da mosfet bozulursa işlemcinizin de bozulma ihtimali çok yüksektir, ara eleman ve dirençle bunu da bir nebze önlemiş olursunuz.
İnşallah biraz daha iyi anlatmışımdır. Zira telefondan da bu kadar yapabiliyorum.
Direnç kullanmadan neden mosfet sürülmez açıklamak yada anlamak için bir mosfet data sheet'ine bakmakta yarar var. Bakacağımız şeyler şunlar; - Gate Treshold Voltage: Bu gate'in sürülmesi ve transistörün ON yani aktif konuma geçmesi için gerekli olan gate voltajıdır. Baktığım IRFZ44N data sheet'inde bu voltaj, min 2V ve max. 4V olarak verilmiş. Pic den çıkan voltaj ise 5V uyuyormu? bence uymuyor. Peki direk bağlarsam ne olur gate delinmesi denilen olay olur ve transistör kısa zamanda bozulur. Direnç orada ne yapar voltajın 2-4V aralığında kalmasını sağlamış olur. Demekki gerekli o direnç. - Mosfet gate leri aynı bir kondansatör gibi davranırlar. Bir şarj olma zamanı ve deşarj olma zamanları vardır. Boş (yüklenmemiş ) bir kondansatör ise kısa devre gibi davranır.Yani çok kısa bir an da olsa kısa devre olur ve girişten bütün akıma asılır. Bu özellik nedeni ile mosfet direk bağlanır ise , "on" olma anında pic pininden aşırı akım çekmeye çalışır ve bu akım miktarı 20ma'i aşarsa pic pini bozulur. Araya direnç konur ise akım sınırlanmış olur ve kimse zarar görmez.
Başka etkenlerde vardır mutlaka ama bu ikisi zaten neden direnç kullanman gerektiği konusunda yeterli diye düşünüyorum. Hemen belirteyim. Ben bir amatörüm ve bunlarda benim amatörce tespitlerim. İşin tahsilini yapmış kişiler daha teknik açıklama verebilirler. Benden bu kadar.
Aşağıdaki tablodaki formüle göre 10khz de 10 volt gate voltajı verilmiş. Bu gate direnci ile 10 volt verilebileceği anlamına mı geliyor. Benim uygulayacağım devrede gate voltajı max 5volt olacak ama bir frekansı yok. En fazla saniyede 1 kere açılır kapanır belki. Bu durumda aşagıdaki formüle nasıl uyarlayıp sonucu bulabilirim. Bu sonuç bize mosfet gate ini dirençsiz sürersek pic çıkışındaki akımın ne olacağı bilgisini verir mi? Picin imalat yapısında pinlerde seri bir direnç var mıdır? (https://i.ibb.co/BPx0Gxk/gate-charge-hesab.jpg) (https://ibb.co/BPx0Gxk) Aşağıdakiler ise IRFZ44 için colomb değerleridir. Qg -Total Gate Charge ––– ––– 63 nC ID = 25A Qgs -Gate-to-Source Charge ––– ––– 14 nC VDS = 44V Qgd -Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– ––– 23 nC VGS = 10V
Tüm testlerimde gate direnci olmadan mosfet sürülebileceğini gördüm. Bu testeleri IRFZ44 ve IRF1310 ile yaptım her ikisindede ne mosfete nede pice bir zarar gelmedi. Akım ölçümlerinde ise 4 haneli fluke87 ölçü aletinin miliampermetre ekranında hiç akım okumadım!!!
Mosfetin gate ine 10 volt 20 ma akım vererek bu akımı ölçü aletinin akım ölçme konumundaki propları üzerinden geçirdim. Kesinlikle akranda en ufak bir oynama bile olmadı. Diğer bir testte ise Mosfetin drain ucundan artıya 10 amper (12 voltta=1.2 Ohm direnç bağladım) akım geçirdim. Bu testte gate i dirençsiz sürdüğümde bir delinme veya gate geri dönen bir gerilim oluşmadı.
Yani sonuçlar tam istediğim gibiydi. Fakat ilk mesajımda gönderdiğim devre şemasındaki gibi 16 adet mosfeti picin çıkışlarına bağlamadım. testleri tek mosfet kullanarak yaptım. Bir değişme olurmu bilmiyorum. Onun testinide yapıp bildiririm.
Başlık: Ynt: dirençsiz mosfet sürülür mü?
Gönderen: İlyas KAYA - 28 Mayıs 2020, 17:58:29
Pic den 10volt nasıl verdiniz ki onu anlamadım. Normalde zaten gate gerilimine ulaşmak yeterli. Çok düşük yada hiç direnç olmadan da mosfet driver lar ile sürülüyor. 5volt ile deneyin birde.
Alıntı yapılan: İlyas KAYA - 28 Mayıs 2020, 17:58:29Pic den 10volt nasıl verdiniz ki onu anlamadım. Normalde zaten gate gerilimine ulaşmak yeterli. Çok düşük yada hiç direnç olmadan da mosfet driver lar ile sürülüyor. 5volt ile deneyin birde.
Tam anlatamadım galiba.10 volt testlerinden sonra pic.ile denedim zateen. Ayrıca 5 volt ile de denedim. 10 volt ile direncsiz bozulmayan 5 voltta zagen bozulmazdı. Eger 5 volt ile iletimi.soruyorsanız evet iletime geciyor.
Başlık: Ynt: dirençsiz mosfet sürülür mü?
Gönderen: İlyas KAYA - 28 Mayıs 2020, 21:04:57
Alıntı yapılan: elektro77 - 28 Mayıs 2020, 20:32:15Tam anlatamadım galiba.10 volt testlerinden sonra pic.ile denedim zateen. Ayrıca 5 volt ile de denedim. 10 volt ile direncsiz bozulmayan 5 voltta zagen bozulmazdı. Eger 5 volt ile iletimi.soruyorsanız evet iletime geciyor.
Iletime zaten geçer geçmesinde sorun yok ancak istenilen akımı sağlamaz. Eğer vgs 5volt olan logic level mosfet kullanırsanız bir sorun olmaz. Ancak yinede 10ohm gibi küçük bir değer de olsa misterlerde şarj ve deşarj anında ölü bölge oluşturmak için direnç kullanılıyor. Herhangi bir frekans ile sürme yapmayacaksanız ölü bölge kontrolüne de gerek kalmaz.
Alıntı yapılan: İlyas KAYA - 28 Mayıs 2020, 21:04:57Iletime zaten geçer geçmesinde sorun yok ancak istenilen akımı sağlamaz. Eğer vgs 5volt olan logic level mosfet kullanırsanız bir sorun olmaz. Ancak yinede 10ohm gibi küçük bir değer de olsa misterlerde şarj ve deşarj anında ölü bölge oluşturmak için direnç kullanılıyor. Herhangi bir frekans ile sürme yapmayacaksanız ölü bölge kontrolüne de gerek kalmaz.
Vgs dediginiz mosfet kesiminin sıfır sızdırmazlık bolgesıne gırmesı icin gerekli olan negatif voltaj degilmidir. Eğer Gate Tresold dan bahsediyorsanız ırfz44 te max 4 volttur.istenilen akımı ve ölü bölgeyi acarmısınız tam anlamadım
Başlık: Ynt: dirençsiz mosfet sürülür mü?
Gönderen: İlyas KAYA - 28 Mayıs 2020, 23:41:31
Ben bu yazıyı ve buna benzer birçok teorik yazıyı defalarca okudum ama hiçbirinde ne gate dirençsiz kullanım ne logic level mosfet nede sıfır noktası ile ilgili bir ibareye rastlamadım. Ayrıca zaten türçeye çevrilmiş teorik bilgiler malesef eksik. Bana söylermisiniz: 10 volt genlikli, 10Khz karede %50 duty ile colomb değeri 67nC olan bir mosfetin gate direnci ne olmalıdır. Nerde yazıyor bu. Veya mosfetin sadece on off olarak kullanıldığı 5 volt çıkışlı bir devrede direnç değerini nasıl bulacağız.Bir dirençten bahsediliyor ama değeri ne? Demek istediğim ben bu yazıları okuyup bir sonuca ulaşamadığım için siteden yardım istedim.
Ayrıca ırfz44 te cutoff bölgesinden çıkmak için 4 volt yeterli ve datasheette belirtilen istediğim akımıda alacağım gibi duruyor. Ben mosfet bozulmasın diye soğutucu bağlı olmadığından kısa süreliğine 10 amperi aldım. Zaten bir ısıda oluşmadı. Bu da 4.5 vgs geriliminde iletim anında iç direncinin çok küçük olduğunu gösterdi. Yani logic level diye tabir ettiğiniz bir özelliği olmamasına rağmen. Bunu testlerimde birebir denedim. Testlerde vds voltajı 12volt iken vgs voltajı 4 olduğunda vds arasında hiçbir gerilim olmuyor. En fazla 0.014volt gibi iç direnci kadar küçük bir gerilim okuyorum. Bu gerilim vgs voltajı 4.5volt olduğunda 0.007 volta yani minimuma düşüyor. 4.5volttan sonraki vgs gerilimlerinde ise artık hiç değişmiyor yani tam iletime geçmiş durumda olduğu için. Dediğiniz gibi vgs 5 volt iken istenilen akımı alamamam gibi bir durum söz konusu olmuyor gibi. Bana şunu söylemenizi isterdim: Evet picin 16 çıkışına 16 ırfz44 bağlayıp 16 sınıda gate dirençsiz iletime geçirebilirsin. Benim ilk mesajımdaki sorum bu idi. Veya şöyle demeliydiniz: Mosfetin kısa devre olup gate yükten 12 volt pozitif geldiğini düşünürsek picin ilgili çıkışınında o sırada low çıkış verdiğiniz düşünürsek hesaba göre en az 600 ohm gate direnci olması gerekli demeliydiniz. Ama ete hocam başka şey söyledi siz başka şey söylediniz. Beni yanılttınız.
Saygılarımla.
Başlık: Ynt: dirençsiz mosfet sürülür mü?
Gönderen: İlyas KAYA - 29 Mayıs 2020, 15:44:32
Burada sizi ikna etmek yada tatmin olmayacağınız bilgileri vermenin bir anlamı yok. Yazılmış verileri de size tekrar yazacak değiliz.
Bir sürü makale okuyup tatmin olmadi iseniz bu da sizin probleminiz.
Mosfete uymak yerine mosfete kendinizi mi uydurmaya çalışıyorsunuz yoksa amacınız üzüm yemek değil de bağcıyı dövmek mi ?
Bence 2nci seçenek daha ağır basıyor.
Hakkında hiçbir bilgi yazmiyor dediginiz şeyleri aramayı bilmiyorsunuz yada isinize mi gelmiyor.
Msofeti filan burakın da google da nasıl arama yapılır onu öğrenin ilk olarak.
Mikroişlemcilerin functional block diagram bölümlerinde verilen ve ilgili pinlerin output olarak kullanılmak istenildiğinde çıkış yapısının ne tür bir analog yapıya sahip olduğunu incelersek karşımıza çoğu üreticide push-pull / totem-pole yada open-collector tiplerine sahip olduklarını görmekteyiz ama , max supply current bilgilerinde işlemcilerin gpio'larının dışarı akım sağladığı (source) yada içine akım akıttıkları (sink) durumlarda ki maksimum değerler datasheet'lerde açıkça belirtiliyor . Görselde paylaştığınız bağlantı tipi mosfetin Vgs threshold değerini aşsa dahi , istenilen drain current değerlerine ulaşması Total Gate Charge , Cgd Cgs Cds gibi parametrelere bağlı olduğu gibi , miller plato'su öz eğrisine de bağlı olarak değişecektir . Sonuç olarak bir işlemci IO'sunu Output source olarak konfigüre edip direkt olarak sürmek yanlış , yanlış olmasının nedeni , çünkü anlıkta olsa Cgs kapasitörü ilk aşamada short olarak davranacağı için düşük frekans sürmede işlemciyi brown-out reset durumuna sokabilir çünkü , boş olan bir kapasite dirençsiz doldurulmaya kalkılırsa GPIO source modunda dahili pull-up direncini tam olarak bilemediğimizden anlık olarak GPIO high state gerilimi doğrudan ground'a konnekte olacak ve bu bahsettiğim problemlere yol açabilecek durumlar oluşturacaktır . Amacımız robust (sağlıklı , garantici, sağlam ) bir sürme ise mosfet sürme teknikleri konusunda daha sağlıklı yöntemlerin denenmesi gerekiyor . Yüksek hızda anahtarlama yapılmadan sadece on-off olarak çalışacaksa , En azından bahsedilen mosfet için 10V'luk bir sürme gerilimi iletime geçmesi ve belirli bir Idrain altında iletimde kalması için gerekli ve yeterli gerilim koşuludur . Vgs threshold gerilimi çoğunlukla çok sınır bir değer yani miller platosuna ulaşmak için gerekli bir değer ama tam iletim koşulu için diğer parametrelerde hesaba katılması gerek , Yani mikroişlemci ile düşük frekans direkt sürme olayı Vgs threshold gerilimi 1-2 volt olan ve minimum 4.7 volt beslemeyle çalışan mikroişlemciler ile ve Rgate kullanmak şartıyla analog olarak kabul edilebilir görünüyor datasheet'te belirtilen , bir pinden maximum source edilmesi gereken akımın 25mA ile ve hatta tüm pinlerden total olarak 200mA ile sınırlandırılması gerektiği ön koşulunu ele alırsak (Tahminen ve yaklaşık olarak) yavaş ve uzun bir turn-on ve off süresi yaşayacaktır , Şahsen bu metodu önermiyorum mecbur kalınırsada düşük Vgs threshold'a sahip bir Mosfet ve direnç eşliğinde akım değerlerinide pin başına maksimum 20mA(işlemci tipine göre değişecek olup) ile sınırlayacak şekilde kullanabilirsiniz . Ama dediğim gibi yinede önermiyorum .
Alıntı yapılan: Burak - 04 Haziran 2020, 11:29:10Mikroişlemcilerin functional block diagram bölümlerinde verilen ve ilgili pinlerin output olarak kullanılmak istenildiğinde çıkış yapısının ne tür bir analog yapıya sahip olduğunu incelersek karşımıza çoğu üreticide push-pull / totem-pole yada open-collector tiplerine sahip olduklarını görmekteyiz ama , max supply current bilgilerinde işlemcilerin gpio'larının dışarı akım sağladığı (source) yada içine akım akıttıkları (sink) durumlarda ki maksimum değerler datasheet'lerde açıkça belirtiliyor . Görselde paylaştığınız bağlantı tipi mosfetin Vgs threshold değerini aşsa dahi , istenilen drain current değerlerine ulaşması Total Gate Charge , Cgd Cgs Cds gibi parametrelere bağlı olduğu gibi , miller plato'su öz eğrisine de bağlı olarak değişecektir . Sonuç olarak bir işlemci IO'sunu Output source olarak konfigüre edip direkt olarak sürmek yanlış , yanlış olmasının nedeni , çünkü anlıkta olsa Cgs kapasitörü ilk aşamada short olarak davranacağı için düşük frekans sürmede işlemciyi brown-out reset durumuna sokabilir çünkü , boş olan bir kapasite dirençsiz doldurulmaya kalkılırsa GPIO source modunda dahili pull-up direncini tam olarak bilemediğimizden anlık olarak GPIO high state gerilimi doğrudan ground'a konnekte olacak ve bu bahsettiğim problemlere yol açabilecek durumlar oluşturacaktır . Amacımız robust (sağlıklı , garantici, sağlam ) bir sürme ise mosfet sürme teknikleri konusunda daha sağlıklı yöntemlerin denenmesi gerekiyor . Yüksek hızda anahtarlama yapılmadan sadece on-off olarak çalışacaksa , En azından bahsedilen mosfet için 10V'luk bir sürme gerilimi iletime geçmesi ve belirli bir Idrain altında iletimde kalması için gerekli ve yeterli gerilim koşuludur . Vgs threshold gerilimi çoğunlukla çok sınır bir değer yani miller platosuna ulaşmak için gerekli bir değer ama tam iletim koşulu için diğer parametrelerde hesaba katılması gerek , Yani mikroişlemci ile düşük frekans direkt sürme olayı Vgs threshold gerilimi 1-2 volt olan ve minimum 4.7 volt beslemeyle çalışan mikroişlemciler ile ve Rgate kullanmak şartıyla analog olarak kabul edilebilir görünüyor datasheet'te belirtilen , bir pinden maximum source edilmesi gereken akımın 25mA ile ve hatta tüm pinlerden total olarak 200mA ile sınırlandırılması gerektiği ön koşulunu ele alırsak (Tahminen ve yaklaşık olarak) yavaş ve uzun bir turn-on ve off süresi yaşayacaktır , Şahsen bu metodu önermiyorum mecbur kalınırsada düşük Vgs threshold'a sahip bir Mosfet ve direnç eşliğinde akım değerlerinide pin başına maksimum 20mA(işlemci tipine göre değişecek olup) ile sınırlayacak şekilde kullanabilirsiniz . Ama dediğim gibi yinede önermiyorum .
Burak
teorik ve teknik açıklama diye buna denir işte. Teşekkürler Burak Bey. Çok açıklayıcı bir yazı. Ben buna ASM tarzı açıklama diyorum
Direnç kullanımı yönünde değiştirmeyi düşünüyorum. Fakat bu düşüncemi ne Cgs nin şarj olması için çektiği akım nedeniyle ki kullandığım mosfetin datasheetinde bu akımın on of kullanımda 30 mikroamper çektiği yazıyor ve testlerimde de yakın sonuç çıkıyor, ve Cgs kapasitesi ise 1470pf ,şarj olma süresi hesaplayan programlarla hesaplanabilir, nede miller etkisinden kurtulmak için kullanıyorum. Ve nede işlemciyi korumak için. Sadece kural bu olduğu ve önerildiği için kullanıyorum. Ki Sonuç olarak oraya kaç ohm bir direnç kullanacağımızı hesaplayabileceğimiz bir formüle de rastlamadım. Ben 1k bir direnç. koydum.
Bunu ekran görüntüsü olarak paylaşabilir misin ? Bu arada hangi mosfetin seçildiğinide merak ettim . Ayrıca bu ölçüm değerlerine sadece hassas şönt dirençler ve hassas ölçüm cihazları ile ulaşılabilir, yani kısacası detaylı laboratuvar testleri sonucunda ulaşılabilir . Bahsettiğim sınırlamayı hesaplamak için çok komplike bi hesap gerekmiyor , yaklaşık Ipeak değeri için 5/20mA = 250 Ohm , tabii turn-on hızıyla ilgili bi handikap yoksa , 1kOhm'a kadar çıkartabilirsin , elbette Gate-Source arasına atılacak bir boşaltma direncide bu değere bağlı olarak ve Rgate değerinden çok daha yüksek değerli olarak seçilecek şekilde ,örneğin 22K-47K ohm civarlarında kullanılması önemli , çünkü , en azından GPIO konfigürasyonu sağlanana kadar , Cgs kapasitörünün deşarjını garanti edecek , Input floating olarak açılan işlemci pininin sızıntı source akımının istemeyerek Cgs kapasitörünü şarj etmesini engellemek adına en az Rgate kadar önemli . Burak
Alıntı yapılan: Burak - 04 Haziran 2020, 18:08:34Bunu ekran görüntüsü olarak paylaşabilir misin ? Bu arada hangi mosfetin seçildiğinide merak ettim . Ayrıca bu ölçüm değerlerine sadece hassas şönt dirençler ve hassas ölçüm cihazları ile ulaşılabilir, yani kısacası detaylı laboratuvar testleri sonucunda ulaşılabilir . Bahsettiğim sınırlamayı hesaplamak için çok komplike bi hesap gerekmiyor , yaklaşık Ipeak değeri için 5/20mA = 250 Ohm , tabii turn-on hızıyla ilgili bi handikap yoksa , 1kOhm'a kadar çıkartabilirsin , elbette Gate-Source arasına atılacak bir boşaltma direncide bu değere bağlı olarak ve Rgate değerinden çok daha yüksek değerli olarak seçilecek şekilde ,örneğin 22K-47K ohm civarlarında kullanılması önemli , çünkü , en azından GPIO konfigürasyonu sağlanana kadar , Cgs kapasitörünün deşarjını garanti edecek , Input floating olarak açılan işlemci pininin sızıntı source akımının istemeyerek Cgs kapasitörünü şarj etmesini engellemek adına en az Rgate kadar önemli . Burak
Kullandığım mosfet IRFR024 olup daha az gate şarj akımı çekmesine rağmen bu başlık altında bahsettiğim mosfet ise ırfz44 olduğundan yine IRFZ44 örneğini veriyorum. Ekran alıntısı yukarıdadır.Colomb verileri ve hesaplama formülü ışığında da aşağıdaki devreyi tasarladım. Devrede verdiğim formülleri hesaplayın bakalım gate şarj akımı kaç µA çıkacak. Siz formül bilen eğitimli birisiniz. Devrede kullanılan direnç pcb yollarında oluştuğunu varsaydığım yok sayılabilecek simgesel bir 0.1 ohm değerdir. Devredeki r1 33kohm direnç kaldırıldığında ise ne olur sonuç. Ki benim gerçek devremde yok.
Derken ? Uslüp sıkıntılı yalnız hoşlanmadım . Önce onu bi düzeltelim , sana yanlış hesap yapıyorsun yapmıyorsun felan diyende olmadı . Ayrıca böyle diyen varmış gibi bir tavıra , karşında çırağın varmış gibi yap bakalım et bakalımlı konuşma hakkını sana kim veriyor ? Bunları düzelt , arkasından yaptığın yanlışları kibarca öğrenmek istersen konuşuruz .
Alıntı yapılan: Burak - 05 Haziran 2020, 14:13:36Derken ? Uslüp sıkıntılı yalnız hoşlanmadım . Önce onu bi düzeltelim , sana yanlış hesap yapıyorsun yapmıyorsun felan diyende olmadı . Ayrıca böyle diyen varmış gibi bir tavıra , karşında çırağın varmış gibi yap bakalım et bakalımlı konuşma hakkını sana kim veriyor ? Bunları düzelt , arkasından yaptığın yanlışları kibarca öğrenmek istersen konuşuruz .
Burak
Yazı dili ile konuşma dili arasında elbette bir uslüp karmaşası olabiliyor. Mimiklerin vücut dilinin görünmediği bir ortamda bu tür uslüp handikaplarına düştüğümüz çok oluyor. Bir yanlış anlaşılma oldu galiba. Dikkat ederseniz: o cümlenin yanlış anlaşılması için 2.çoğul şahış kipinin kullanılmaması gerekirdi. Yani ben size orada "-hesapla bakalım" diye yazmadım."-hesaplayın bakalım" cümlesine 2.çoğul sahış kipini ekleyerek saygı çerçevesinde seslendim. Yaşım 43 daha ben çırakken kşmseye bu tavırda seslenme hakkım yok tabiki. Ama cevaben yazdığınız cümlede sizde bana katılmışsınız görünüyor. Fakat bilginize hayran olan biri olarak yinede özür dilerim.
Alıntı yapılan: elektro77 - 05 Haziran 2020, 14:24:11Yazı dili ile konuşma dili arasında elbette bir uslüp karmaşası olabiliyor. Mimiklerin vücut dilinin görünmediği bir ortamda bu tür uslüp handikaplarına düştüğümüz çok oluyor. Bir yanlış anlaşılma oldu galiba. Dikkat ederseniz: o cümlenin yanlış anlaşılması için 2.çoğul şahış kipinin kullanılmaması gerekirdi. Yani ben size orada "-hesapla bakalım" diye yazmadım."-hesaplayın bakalım" cümlesine 2.çoğul sahış kipini ekleyerek saygı çerçevesinde seslendim. Yaşım 43 daha ben çırakken kşmseye bu tavırda seslenme hakkım yok tabiki. Ama cevaben yazdığınız cümlede sizde bana katılmışsınız görünüyor. Fakat bilginize hayran olan biri olarak yinede özür dilerim.
Herneyse dikkatli olalım , benim işim güç elektroniği uzmanı olarak zaten hesap yapmak , şunu belirtmem gerekir ki , yapılan hesap kapasitör için yapılmış basit bir ortalama güç hesabı ama elimizdeki eleman bir yarıiletken , ve bu kadarda basit bir hesap yapıp hesabı yaptığımız jonksiyon üzerinde değerlendirmeye gitmek tamamen büyük bir yanlış . Yani YANLIŞ ... Doğrusu şu ;
Gate yolu üzerine eklediğimiz dirençlerin seçimi noktasında yapılacak bu hesap aslında çok uzak detaylardan geçerek bu anlatacağım özet vari sonuçlara geliyor .Öncelikle anahtarlama yoksa ısıl kayıp yok , bu on-off frekansı 1HZ olduğu durumda yani saniyede bir kez anahtarlandığında , bizim , yol empedansı hariç R-gate direncimiz üzerinde oluşacak güç total gate charge parametresi , aktivasyon gerilimi ve anahtarlama frekansı ile doğrudan alakalı , kapasite ortalama güç yoğunluğun bu hesapta yeri bile yok , hatta bu çok basit bir kurgu olur .
P= V*Qt*Fsw şeklinde düşünelim , bu noktada , 10V * 63nC * 1 üzerinden baktığımızda , 0.63uW olarak bir hesap elde ediyoruz . Bu noktada burada elde edilen güç ortalama güç olarak görünüyor bu bizim seçeceğimiz R-gate için bir güç bilgisi veriyor sadece ama gelelim yük parametresine ... Bu parametre bu kadar tek kullanımlık bir parametre mi elbette değil , bu parametre için şunları söyleyeceğiz .
Total gate yük değerimiz, iletime girene kadar geçecek tüm süre yani t-başlangıçtan t-bitişe kadar olan sürede bize gate akımının değişimi ile ilgili bir hesaplamada kullanılması gereksinimini sunuyor . Ig*dt süresinin tb-te aralığındaki integratif değişimi , bize yük değerini veriyor ama biz Qg değeri üzerinden bir hesap yapmak istiyoruz buda Q = Ig * Delta(t) şeklinde bir basit formüle dönüşmek durumunda kalıyor .(O kadar basit değil ama şimdilik öyle olsun). Bu noktada sürekli hal ve sabit bir gate akımı altında , bize verilen gate charge parametresini Delta(t) ifadesini bulmak için kullanabiliriz . Bu bize anahtarlamadaki turn-on ve turn-off süresini verecek ama senin uygulamanada böyle bir sorunsal yok , o yüzden ortalama güç hesaplamak ile turn-on değişkenlerindeki peak ve lineer olmayan değişim değerlerini hesaplamak uygun laboratuvar hassas ölçüm ekipmanları gerektirir . Senin hesabını yaptığın bir kapasitörde harcanan ortalama güç hesabı , bunun bizim konumuzla hiç alakası yok . Kullanamayız yani , fizik gerekli ama detaylı yarıiletken eşdeğer devre parametre incelemesi daha çok gerekli ve o noktada birbirilerinden ayrılıyorlar .
Toparlayalım .
Yapılması gereken belli aslında on-off'ta sürülecek olsa mosfet sürücü devresi kullanılması gerek . Ama low-cost bir uygulamada , direkt sürmede mümkün o yüzden en azından , bu sürme akımını sen limitle , tasarımcı olarak görevin bu , çünkü beslemede ripple'lar yada çökmeler bozulmalar görmek istemeyiz .
Dirençsiz sürmeye kalktığımızda (hemde bir sürü pinden birsürü mosfeti) büyük peak akımlarına ihtiyaç duyulacak, önceki açıklamaları tekrar yapmak istemiyorum , bu senin turn-on süreni neredeyse sıfırlara çekecek ama peki besleme hattındaki sallanma ? Çok gereksiz . Önerilerim ve açıklamalarım bu kadar , iletime geçme süresi (turn-on) için bir hıza ihtiyacın yok bırak VGth 'u küçük gate direnci akımı limite edebilen , haricen Rgs boşaltma direncine sahip bir devre kur ve kullan ama bunun yolu bu değil çünkü hala biz yük akım tipini , Drain gerilimini , drain akımındaki interference'ları bilmiyoruz . Doğrudan işlemci pini ile bir yük sürmeye kalkarsan illa ki işlemci IO pininde de istenmeyen osilasyonlar ve dengesiz gerilim parazitleri yaşıycaksın ve baş ağrısı yaratacak . O yüzden en azından o Rgate direncini bu izolasyon adına biraz fazla tutmanda fayda var .
Alıntı yapılan: Burak - 05 Haziran 2020, 15:08:12Doğrudan işlemci pini ile bir yük sürmeye kalkarsan illa ki işlemci IO pininde de istenmeyen osilasyonlar ve dengesiz gerilim parazitleri yaşıycaksın ve baş ağrısı yaratacak . O yüzden en azından o Rgate direncini bu izolasyon adına biraz fazla tutmanda fayda var .
Burak
Peki Burak bey izolasyon adına kullanacağım ama yinede merak ettiğim şu: Irfr024 mosfetinde sabah yaptığım bir testte, 4 mhz osilatörlü bir yazılımda picin gate e bağlı çıkışını 4.7 Mega ohm 1/16W bir direçle sadece aşağıdaki şekilde basit bir kodla sürdüm.
basla:
if sw1=1 then
while sw1=1:wend
FOR I=0 TO 0
mosfet=1
NEXT
pause 1000
MOSFET=0
endif
goto basla
Yani 4.7 megaohm bir direnç ile ve yukarıdaki koddaki çevrim süresi kadar bir hızda gate i sorunsuz sürebildim. Yükü ise resistif 3 amper bir yük kullandım. Yani böyle bir deney sonunda ortaya çıkan bu sonuç çekilen akım değeri açısından teori ile pratik arasında bir ezberciliği veya bir farkı ortaya koymuş sayılır mı? Saygılarımla
Neyse konuyu biraz fazla abarttım ve suyunu çıkardım galiba. Açıklamalarınız ve zaman ayırdığınız için tüm üstatdlara ve özellikle Burak Bey e teşekkürlerimi sunarak bu konuda soru sormayı bırakıyorum. Saygılarımla.
Alıntı yapılan: elektro77 - 05 Haziran 2020, 16:17:55Peki Burak bey izolasyon adına kullanacağım ama yinede merak ettiğim şu: Irfr024 mosfetinde sabah yaptığım bir testte, 4 mhz osilatörlü bir yazılımda picin gate e bağlı çıkışını 4.7 Mega ohm 1/16W bir direçle sadece aşağıdaki şekilde basit bir kodla sürdüm.
basla:
if sw1=1 then
while sw1=1:wend
FOR I=0 TO 0
mosfet=1
NEXT
pause 1000
MOSFET=0
endif
goto basla
Yani 4.7 megaohm bir direnç ile ve yukarıdaki koddaki çevrim süresi kadar bir hızda gate i sorunsuz sürebildim. Yükü ise resistif 3 amper bir yük kullandım. Yani böyle bir deney sonunda ortaya çıkan bu sonuç çekilen akım değeri açısından teori ile pratik arasında bir ezberciliği veya bir farkı ortaya koymuş sayılır mı? Saygılarımla
Milisaniyeler sürecek bir turn-on ve turn-off süresi oluşur bu direnç değeri altında , tahminen 100 ms altında yani 1Hz'lik çalışmada bir sorun oluşmayacak yinede . Teorinin dışına çıkan yine birşey yok
Alıntı yapılan: Ali1986 - 21 Haziran 2021, 11:19:26Merhaba arkadaşlar.Mosfetlerin cikisinda kisadevre oluştuğunda mosfet 10us zaman diliminde bozuluyor.bunun herhangi bir onlemi varmıdır? Ornegin irf540N mosfet gate ayagina 220ohm direnc ve 4V. ile suruyorum.Gate gnd arasi 10k puldown direncide var.24 cikisli mosfet karti.Ve 12volt 1 amper sürüyorum her çıkışta.Ne gibi onlem almamiz gerekir?Gate drain arasi 8v zener bağladım olmadi.
Tüm mosfetlerin source ayağını gnd den ayır ve 0.01R gelecek kadar kalın kesitli bir tel direnç ile gnd ye bağla sonra bir opampla akım kontrolü yap ve akım çekilmesi durumunda, röleli bir devre ile beslemeyi kapat.
Merhaba.tas direnc demek istediniz degil mi? Sanirsam tas direnc role calisana kadar kisa bir muddet kisa devre yükünü uzerine alip mosfeti kurtaracak.Ve o esnadada opamp roleyi tetikleyecek.Ben boyle tahminde bulundum.Peki simdi basil.bir opamp devresi kurmam gerekiyor bilmiyorum.Ornek varmidir? her cikis kademeli olarak max 900mA &1000mA amper güç çekiyor.Bazen 16 cikis bazende 18 veya 20....24 cikis aktif oluyor.Buna uygun nasil bir tasarım önerirsiniz? NOT:Roleli sistemi opamp olmadan denedim.role birakana kadar mosfet yandı 😊
Alıntı yapılan: elektro77 - 21 Haziran 2021, 12:46:02Tüm mosfetlerin source ayağını gnd den ayır ve 0.01R gelecek kadar kalın kesitli bir tel direnç ile gnd ye bağla sonra bir opampla akım kontrolü yap ve akım çekilmesi durumunda, röleli bir devre ile beslemeyi kapat.
Merhaba.tas direnc demek istediniz degil mi? Sanirsam tas direnc role calisana kadar kisa bir muddet kisa devre yükünü uzerine alip mosfeti kurtaracak.Ve o esnadada opamp roleyi tetikleyecek.Ben boyle tahminde bulundum.Peki simdi nasil.bir opamp devresi kurmam gerekiyor bilmiyorum.Ornek varmidir? her cikis kademeli olarak max 900mA &1000mA amper güç çekiyor.Bazen 16 cikis bazende 18 veya 20....24 cikis aktif oluyor.Buna uygun nasil bir tasarım önerirsiniz? NOT:Roleli sistemi opamp olmadan denedim.role birakana kadar mosfet yandı 😊
Bu ne devresi ve neden çıkışlar kısa devre oluyor. Devre hakkında biraz daha bilgi verirsen şema v.s. Tasarımını siz mi yapıyorsunuz yoksa hazır bir devre mi? Ben fikrimi söylerken birden fazla çıkışın aktif olabileceğini hesaba katmamıştım. Bu durumda önerdiğim yöntem kararlı çalışmaz. Mosfetin 10mS de bozulduğunu yazmışsınız. Bu süreyi nasıl tespit ettiniz. Birde sizin mosfetler orjinal değildir belki. O nedenle anında bozuluyordur. Belki her çıkışa 0.5amper sigorta kullanırsanız mosfeti korursunuz.