N kanal mosfeti High side kullanım için gate drıver

[Evren Kılıç]

N kanal mosfeti High side kullanmak için gate gerilimi, anahtarlama gerilimi +10 volt olması gerekli yani 12 volt anahtarlayacak olan bir mosfet'in gate ucu en az 22 volt ile sürülmeli. Daha önce böyle bir uygulamada gate gerimini çin den aldığım dc-dc step up converter ile üretmiştim. Bu şekilde harici bir parça kullanmadan bu gate gerilimini üretmek içi kullandığınız, önereceğiniz başka daha basit bir yöntem var mı?

kullandığım converter:

https://tr.aliexpress.com/item/XL6009-DC-Adjustable-Step-up-boost-Power-Converter-Module-Replace-LM2577/32636472543.html?spm=a2g10.search0104.3.178.3e4c1093tD1rFM&ws_ab_test=searchweb0_0,searchweb201602_3_10065_10068_5731315_318_319_317_5728815_10696_10084_10083_10618_452_10307_532_5732815_5731115_5729315_5731415_5731215_5731615_204_328_5730615_10059_10884_5731515_323_10887_100031_320_321_322_10103_5731715,searchweb201603_55,ppcSwitch_0&algo_expid=6508c3f8-0b5a-4e02-8aa4-07699e502f6f-25&algo_pvid=6508c3f8-0b5a-4e02-8aa4-07699e502f6f&transAbTest=ae803_4

[ahmet_zxc]

bir projede High side power swich kullanmıştık. yapılan işe göre(fiyat..) de değişmekle birlikte düşünülebilir.

ITS428L2

[MB_77]

bu mesaj tarafımdan silinmiştir.

[Evren Kılıç]

N kanal mosfetin anahtarlama gerilimi en az 10v olması gerekli konusu bildiğim kadarıyla şart değil. kullanacağınız mosfetin datasheetine bakarak karar vermek gerek. harici parça kullanmadan üretmekten kastınız sanırım standart modüller. bunun dışında bir kaç transistör ve devre elemanı kullanmayı göze alıyorsanız ekli devre fikir verebilir.

devrede booster ve mos sürücü bütünleşiktir. picten terslenmiş mos sürme sinyali verilmesi yeterli olur. düşük frekanslar için iş görebilir. ancak 10v'luk kaynaktan en fazla 18.5v üretebilir.belki bir fikir verebilir.

teşekkürler.